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防爆手電筒的發光原理及特性

閱讀：407發布時間：2022-1-28

防爆手電筒的發光原理：發光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。進入對方區域的少數載流子（少子）一部分與多數載流子（多子）復合而發光 。

防爆手電筒的特性：

（1）允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的大值。超過此值，LED發熱、損壞。

（2）大正向直流電流IFm：允許加的大的正向直流電流。超過此值可損壞二極管。

（3）大反向電壓VRm：所允許加的大反向電壓。超過此值，發光二極管可能被擊穿損壞。

（4）工作環境topm:發光二極管可正常工作的環境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍，發光二極管將不能正常工作，效率大大降低。

（5）打開電源時，不會產生火花，從而在危險空間不會因火花而發生爆炸的可能，達到防爆的效果，所以叫防爆手電。


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