1、防盜報警系統的組成部分?
　　
　　一般的防盜報警系統通常由前端探測器、中間傳輸部分和報警主機組成，當然這只是指一般的防盜報警系統，如果你碰到的是大型的防盜報警系統，那么這類防盜報警系統則是由前端部分，傳輸部分和后端部分組成，其中前端部分是指：探測器和報警主機，傳輸部分是指：從報警主機到接警機之間是如何傳輸的，后端部分是指：中心接警部分。
　　
　　2、防盜報警系統傳輸方式?
　　
　　防盜報警系統的傳輸方式主要是有線和無線這兩種傳輸方式。
　　
　　3、防盜報警系統防區類型?
　　
　　防盜報警系統主要的防區類型包括：出入防區、即時防區、內部防區、24小時防區等幾類
　　
　　4、外出布防是指什么?
　　
　　外出布防是指用戶全部離開防盜報警系統保護區域時對系統布防的一種模式。在外出布防模式下，防盜報警系統中所有防區均處于工作狀態
　　
　　5、留守布防是指什么?
　　
　　留守布防是指用戶處在報警系統內部保護區域時對系統布防的一種模式，在此布防模式下，系統中的所有周邊防區(如室外的周界探頭、窗磁、陽臺的幕簾式探頭等)處于布防狀態，而系統中的內部防區(一般是安裝在室內的紅外探頭)會自動被系統旁路，內部人員可在此區域內自動活動而不會產生報警。
　　
　　6、進入延時是指什么?
　　
　　進入延時是指人員在外面進入出入防區后，出入防區即被觸發，但此時系統不會立即發生報警，而是處于進入延時狀態中(一般也為幾十秒鐘)。在此過程中你必須立即對報警系統進行正確撤防，否則進入延時結束后系統將產生報警。
　　
　　7、外出延時是指什么?
　　
　　外出延時是指系統進行了布防操作后留給操作人員離開出入防區的一段延時時間(一般幾十秒鐘)。你必須在這段時間內離開出入防區，否則延時結束后你將觸發該出入防區。
　　
　　8、旁路是指什么?
　　
　　旁路是指在布防時使某個或某些防區不加入布防。
　　
　　9、探測器的類型?
　　
　　探測器的類型可以分為：
　　
　　探測器分很多種紅外探測器、震動感應探測器、燃氣泄露探測器、煙霧探測器、溫度探測器、門磁探測器等等
　　
　　10、主動紅外探測器工作原理?
　　
　　主動紅外探測器安裝后數秒種已適應環境，在無人或動物進入探測區域時，現場的紅外輻射穩定不變，一旦有人體紅外線輻射進來，經光學系統聚焦就使熱釋電器件產生突變電信號，而發出警報。
　　
　　11、被動紅外探測器工作原理
　　
　　當有入侵者通過探測區域時，探測器將自動探測區域內人體的活動。如有動態移動現象，它則向控制主機發送報警信號
　　
　　1、LED芯片的制造流程是怎樣的？
　　
　　LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間zui小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33×10？4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發光區盡可能多地露出來，使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。光刻工序結束后還要通過合金化過程，合金化通常是在H2或N2的保護下進行。合金化的時間和溫度通常是根據半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。當然若是藍綠等芯片電極工藝還要復雜，需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。
　　
　　2、LED芯片制造工序中，哪些工序對其光電性能有較重要的影響？
　　
　　一般來說，LED外延生產完成之后她的主要電性能已定型，芯片制造不對其產甞核本性改變，但在鍍膜、合金化過程中不恰當的條件會造成一些電參數的不良。比如說合金化溫度偏低或偏高都會造成歐姆接觸不良，歐姆接觸不良是芯片制造中造成正向壓降VF偏高的主要原因。在切割后，如果對芯片邊緣進行一些腐蝕工藝，對改善芯片的反向漏電會有較好的幫助。這是因為用金剛石砂輪刀片切割后，芯片邊緣會殘留較多的碎屑粉末，這些如果粘在LED芯片的PN結處就會造成漏電，甚至會有擊穿現象。另外，如果芯片表面光刻膠剝離不干凈，將會造成正面焊線難與虛焊等情況。如果是背面也會造成壓降偏高。在芯片生產過程中通過表面粗化、劃成倒梯形結構等辦法可以提高光強。
　　
　　3、LED芯片為什么要分成諸如8mil、9mil、…，13∽22mil，40mil等不同尺寸？尺寸大小對LED光電性能有哪些影響？
　　
　　LED芯片大小根據功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根據客戶要求可分為單管級、數碼級、點陣級以及裝飾照明等類別。至于芯片的具體尺寸大小是根據不同芯片生產廠家的實際生產水平而定，沒有具體的要求。只要工藝過關，芯片小可提高單位產出并降低成本，光電性能并不會發生根本變化。芯片的使用電流實際上與流過芯片的電流密度有關，芯片小使用電流小，芯片大使用電流大，它們的單位電流密度基本差不多。如果10mil芯片的使用電流是20mA的話，那么40mil芯片理論上使用電流可提高16倍，即320mA。但考慮到散熱是大電流下的主要問題，所以它的發光效率比小電流低。另一方面，由于面積增大，芯片的體電阻會降低，所以正向導通電壓會有所下降。
　　
　　4、LED大功率芯片一般指多大面積的芯片？為什么？
　　
　　用于白光的LED大功率芯片一般在市場上可以看到的都在40mil左右，所謂的大功率芯片的使用功率一般是指電功率在1W以上。由于量子效率一般小于20%大部分電能會轉換成熱能，所以大功率芯片的散熱很重要，要求芯片有較大的面積。
　　
　　5、制造GaN外延材料的芯片工藝和加工設備與GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求？為什么？
　　
　　普通的LED紅黃芯片和高亮四元紅黃芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半導體材料，一般都可以做成N型襯底。采用濕法工藝進行光刻，zui后用金剛砂輪刀片切割成芯片。GaN材料的藍綠芯片是用的藍寶石襯底，由于藍寶石襯底是絕緣的，所以不能作為LED的一個極，必須通過干法刻蝕的工藝在外延面上同時制作P/N兩個電極并且還要通過一些鈍化工藝。由于藍寶石很硬，用金剛砂輪刀片很難劃成芯片。它的工藝過程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而復雜。
　　
　　“從全國來說，LED芯片產能有過剩的苗頭，但對于廣東省來說，當地上游環節屬于缺失的，我們希望政府加大對上游的支持力度。”廣東甘化證券部人士表示。