【中國安防展覽網 市場分析】存儲市場是一個商品化市場，其中一家公司的存儲芯片可以輕松替換掉另一家公司的芯片。由于沒有技術優勢，供求關系極大地影響著價格，使該市場呈現高度周期性變化。
存儲器缺貨和漲價問題一直是電子產品企業的心頭病，而近東芝存儲器要延期供貨，美光晶圓半數報廢，再一次吹響存儲器缺貨大戰的號角。盡管每次缺貨潮都讓三星、海士力等上游廠家賺得盆滿缽盈，但實際上這也是下游企業的災難。同時，缺貨導致的漲價使市場呈現一片虛假繁榮的景象，但有機構預測存儲器市場泡沫將于2019年破裂。在泡沫來臨之際，行業都在期待救世主來戳破這個泡沫，中國能否擔當重任？
缺貨潮更洶涌
存儲器漲價從2016年下半年開始，根據IC Insights的預計，2017年內存(DRAM)價格漲幅將達到39%，閃存(Flash)漲幅也有望達到25%。因此存儲器被普遍稱為“半導體產業的皇冠”，甚至被稱為“期貨”。
漲價只是讓下游應用少點利潤，但缺貨卻是致命的，因此有人戲稱“這是一個得存儲器者得天下的時代”。從目前來看，這種缺貨潮有可能越演越烈。
據中國臺灣科技新報報道，日前美光科技廠房制程所需的氮氣出狀況，造成約 6 萬片晶圓受污染，逾半晶圓報廢，廠房目前仍處停工狀態。盡管中國臺灣美光一再重申，并發出書面聲明強調，桃園廠并無發生氮氣外泄事件，也無撤離廠區人員，僅有些微廠務狀況，但已迅速恢復運作，相關業務并無受到任何實質影響。但根據消息人士轉述，中國臺灣美光受污染的產線恐怕快要3個月才能恢復生產。
此外，一直沸沸揚揚的東芝半導體出售事件再起波瀾。Sankei Biz 8日報導，東芝原計劃于6月28日和日美韓聯盟簽訂契約，但因現階段尚未達成共識，該計劃未能實現。而因SK 海士力與西部數據攪局，東芝存儲器出售簽約時間有可能將延至8月以后。此事或將影響東芝存儲器供貨周期延長。
受到 DRAM 廠商制程轉進不易、短期缺乏大幅新增產能下等因素影響，DRAM自去年漲價至今尚未停息。當下再受美光及東芝事件的沖擊下，這波存儲器缺貨短期內恐難以解決。
供需失衡
導致存儲器市場出現這種亂象的原因是供需失衡，一方面是應用需求不斷增長，另一方面是存儲器處于寡頭時代，供應不足。
隨著DRAM先進工藝制程的發展，DRAM 產業應用范圍越來越廣。從主流應用 PC端、手機等消費電子，發展到現階段又開啟了新一代應用包括服務器、云端、物聯網、車聯網、人工智能等，可以說當前DRAM 產業已經進入多元化應用。而這些多元化應用都將帶動存儲器需求，尤其當前堪稱萬億級市場的物聯網與5G通信對存儲器需求量會更大。因而，DRAM 或將面臨產能不足、長期供不應求的局面。
其次，與廣泛的應用領域形成鮮明對比的是，存儲器產業的高度集中。根據TrendForce的數據，截至2016年三季度，DRAM市場份額分布為三星(50.2%)、海力士(24.8%)、美光(18.5%)、南亞(3.1%)、華邦電子(1.7%)、力晶科技(0.6%)、其他(1.2%)。內存模組廠商包括金士頓、美光等，金士頓是大內存模組廠商，2015年市占率高達68%。可以說，主要DRAM產能僅由幾間廠家壟斷提供，寡頭競爭格局尤為突出，這直接導致范圍內的持續缺貨。
泡沫來臨
分析師表示2017年DRAM內存漲價將達到39%，NAND閃存漲價也有21%，市場價值大漲60%-70%，廠商的運營利潤也維持在40%-60%的高位。
存儲器的持續漲價也強力帶動了存儲公司的發展。據了解，提供存儲IP的Kilopass，在過去的2008年至2016年間，公司的增長速度是IC行業的10倍。目前Kilopass擁有OTP方面的超過70個，客戶超過了250家(IDM和IC設計公司)，僅TSMC 10納米的eFuse出貨量就超過了100億。
值得注意的是，存儲器漲價帶來的不僅是正面的收益，相反，對于下游企業來說，其實是災難。7月12日，全志科技晚間公告顯示，2017年上半年受存儲器件及顯示屏等價格持續上漲影響，下游市場需求受到抑制，公司一季度營收同比下滑了約25%。預計上半年盈利100萬元-300萬元，同比降95.46%-98.49%。
對此，日前Gartner預測稱，雖然今年半導體銷售額超過4000億美元，但到2019年，繁榮景象將會消失。Gartner研究副總裁安德魯?諾伍德表示：“企業在儲存器市場大量投資，但之后將再次失去這些利潤。據推測，隨著儲存器供應商增加新的供應量，存儲器市場泡沫將于2019年破裂。”但是由誰來戳破泡沫？誰能夠擔當重任力挽狂瀾？
中國能否成為救世主？
*，戳破存儲器泡沫的方式就是增加供給，而中國企業目前正在大舉進入存儲器市場，并且取得了一定的成果，因此有望幫市場解渴。
上個月，兆易創新擬以65億元收購北京矽成100%股權。分析人士認為，作為國內存儲器芯片設計，收購北京矽成能使兆易創新在原有NOR Flash市場優勢的基礎上，增添NAND和MCU等新的成長點，幫助公司補全存儲器版圖，打造具有影響力的存儲器業務。
同時，在國家大力扶持集成電路產業及芯片進口替代加快的趨勢下，存儲器行業迎來一輪蓬勃發展期。“晶圓廠預測”新報告指出，2017年中國總計有14座晶圓廠正在興建，并將于2018年開始裝機。總計2017年中國將有48座晶圓廠有設備投資，支出金額達67億美元。展望2018年，中國將有49座晶圓廠有設備投資，支出金額約100億美元。
目前，長江存儲32層3D NAND芯片預計2018年實現量產，福建省晉華12寸新廠32納米制程預期在2018年9月才開始試產，而合肥長鑫12寸存儲晶圓廠預計2019年底才能實現達12.5萬片的月產能。
此外，目前中科院上海微系統所研發的的嵌入式相變存儲器現已成功應用在打印機領域，并實現千萬量級市場化銷售。據了解，該相變存儲器具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數據不丟失等優點，目前，上僅有三星、英特爾等推出了相關產品，但多為非嵌入式相變存儲器產品。有分析人士由此推測，未來中國在該領域有望實現“彎道超車”。
隨著中國本土存儲芯片制造廠商的加快發展及國外半導體的大力投資，加上相變存儲器的強勢助力，一旦上述晶圓廠的產能全部釋放或相變存儲器能夠廣泛應用，或能夠讓中國一舉成為半導體產業發展的者，進而打破當前由漲價潮引發的市場泡沫。
原標題 存儲器市場供需失衡 中國能否力挽狂瀾？
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