【智慧城市網 城市在線】近日，武漢市人民政府辦公廳本月發布了《關于促進半導體產業創新發展的意見》(以下簡稱《意見》)。
據了解，《意見》提出，到2025年，武漢全市半導體產業能級明顯提升，產業結構更加合理，設備、材料、封測配套水平對關鍵領域形成有力支撐。
產業規模方面，到2025年，芯片產業產值超過1200億元，半導體顯示產業產值超過1000億元，第三代半導體產業初具規模。
技術水平方面，到2025年，發明專利年均增速超過15%，創建3—5個國家級創新平臺，牽頭制定2—4項行業標準，突破一批關鍵核心技術，實現一批關鍵技術轉化和應用。
市場主體方面，到2025年，培育形成5家銷售收入超過100億元的芯片企業、5家銷售收入超過 100億元的半導體顯示企業、5家銷售收入超過10億元的半導體設備與材料企業，半導體企業總數超過500家，上市企業新增3—5家。
《意見》提出的重點任務和產業布局如下：
重點任務
(一)瞄準薄弱環節補鏈
1.增強集成電路設備、材料和封測配套能力。在設備環節，聚焦三維集成特色工藝，研發刻蝕、沉積和封裝設備，引入化學機械研磨(CMP)機、離子注入機等國產設備生產項目；在材料環節，圍繞先進存儲器工藝，開發拋光墊、光刻膠、電子化學品和鍵合材料，布局化學氣相沉積材料、濺射靶材、掩膜版、大硅片等材料項目；在封測環節，引進和培育國內外封裝測試領軍企業，突破先進存儲器封裝工藝，推進多芯片模塊、芯片級封裝、系統級封裝等先進封裝技術產業化。
2.加快半導體顯示設備和材料國產化替代。在設備環節，聚焦有機發光二極管(OLED)中小尺寸面板工藝，研發光學檢測、模組自動化設備，引入顯示面板噴印、刻蝕機、薄膜制備等國產設備生產項目；在材料環節，支持液晶玻璃基板生產項目建設，加快 OLED 發光材料、柔性基板材料的研發及產業化，引入濾光片、偏光片、靶材等國產材料生產項目。
3.布局第三代半導體襯底及外延制備。在設備環節，支持物理氣相傳輸法(PVT)設備、金屬有機化合物氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)等工藝設備的研發及產業化；在材料環節，引進碳化硅(SiC)襯底、SiC 外延、氮化鎵(GaN)襯底生產線，布局 GaN 外延晶片產線。
(二)立足現有基礎強鏈
1.打造存儲、光電芯片產業高地。在存儲芯片領域，重點引入控制器芯片和模組開發等產業鏈配套企業，研發超高層數三維閃存芯片、40 納米以下代碼型閃存、動態隨機存取存儲器、三維相變存儲器、存算一體芯片等先進存儲芯片；在光電芯片領域，支持 25G 以上光收發芯片、50G 以上相干光通信芯片的研發及產業化，布局硅基光通信芯片、高端光傳感芯片、大功率激光器芯片等高端光電芯片制造項目。
2.建設國內重要半導體顯示產業基地。在顯示面板領域，引進大尺寸 OLED、量子點顯示、亞毫米發光二極管(MiniLED)顯示等面板生產項目，布局微米級發光二極管(MicroLED)顯示、激光顯示、8K 超高清、3D 顯示等未來顯示技術研發及產業化；在顯示模組領域，支持全面屏、柔性屏模組的研發及產業化，加快開發高端面板屏下傳感元件及模組，引入光學鏡頭、背光模組等生產項目，逐步提升對中高端面板的產業配套能力。
(三)聚焦熱點領域延鏈
1.通信射頻芯片。支持 5G 絕緣襯底上硅(SOI)架構射頻芯片、射頻電子設計自動化(EDA)軟件研發；面向 5G 基站、核心網、接入網等基礎設施市場，重點發展基帶芯片、通信電芯片、濾波器等關鍵芯片。
2.通用邏輯芯片。加快圖形處理器(GPU)、顯控芯片的開發及應用，提升知識產權(IP)核對中央處理器(CPU)、人工智能芯片等邏輯芯片的設計支撐能力，布局信創領域處理器項目。
3.北斗導航芯片。支持研發北斗三號系統的新一代導航芯片、28 納米高精度消費類北斗導航定位芯片、新一代多模多頻高精度基帶系統級芯片；面向交通、物流、農業、城市管理等領域開發通導一體化北斗芯片，拓展北斗應用。
4.車規級芯片。推進數字座艙芯片、駕駛輔助芯片、功率器件、汽車傳感器等車規級芯片研發及產業化項目；面向新能源汽車，布局動力系統、主被動安全系統、娛樂信息系統、車內網絡、照明系統車規級芯片產業化項目。
(四)圍繞前沿領域建鏈
1.第三代半導體器件。圍繞電力電子器件、射頻器件、光電器件等 3 個應用方向，引入碳化硅(SiC)功率晶體管、氮化鎵(GaN)充電模塊、GaN 功率放大器、高光效 LED、MiniLED 等器件項目；支持中高壓 SiC 功率模塊、GaN 5G 射頻開關、紫外 LED 的研發及產業化，突破 SiC 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、毫米波射頻器件、MicroLED 關鍵技術。
2.量子芯片。支持單光子源、激光器、探測器等光量子芯片的研發及產業化；布局量子傳感器、量子精密測量器件等生產項目；開展量子通信、量子成像、量子導航、量子雷達、量子計算芯片共性前沿技術攻關。
產業布局
(一)打造相對完整的集成電路產業鏈聚集區。重點發展三維集成工藝、先進邏輯工藝，加快推進先進存儲器等重點制造項目建設；重點發展中高端芯片設計、IP 核設計、EDA 軟件等產業，加快推進精簡指令集(RISC—V)產學研基地建設；培育裝備、材料、零部件、封測等產業，加快推進硅基 SOI 半導體材料、光刻材料及電子溶劑、筑芯產業園等配套項目建設。
(二)構建差異化半導體顯示產業核心區。重點發展中小尺寸顯示面板、大尺寸顯示面板等產業，加快半導體顯示產業鏈向上下游延伸發展，培育核心設備、關鍵材料、模組、元器件、顯示終端等產業，推進華星 t4、華星 t5、天馬 G6 二期、京東方 10.5 代線擴產、創維 MiniLED 顯示產業園等項目建設。
(三)創建半導體特色產業區。重點發展光電芯片、第三代化合物半導體等產業，推進紅外傳感芯片制造、微機電(MEMS)與傳感工業技術研究院等項目建設；培育車規級芯片、工控芯片等產業，推進國家新能源和智能網聯汽車基地建設；培育顯示芯片、信息安全芯片等產業，推進國家網絡安全人才與創新基地建設；培育人工智能芯片、通用邏輯芯片等產業，推進國家新一代人工智能創新發展試驗區建設。
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