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　　【中國安防展覽網 科技動態】格羅方德半導體自完成對IBM微電子業務的收購，是其獲得了一系列差異化技術，可用于增強其公司在軍用、物聯網（IoT）、大數據和高性能計算等主要增長型市場中的產品組合，不僅鞏固了在邁向10nm、7nm以及更先進的工藝之路上的地位，在全新的半導體工藝上，也推出了新一代聯網設備的超低功耗要求的“22FDX”平臺，此平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個佳解決方案。
　　
　　雖然某些設備對三維FinFET晶體管的性能有要求，但大多數無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現更好的平衡。22FDX采用業內22nm二維全耗盡平面晶體管技術（FD-SOI）工藝，為成本敏感型應用提供了一條佳途徑。憑借業內低的0.4伏工作電壓，該平臺實現了超低動態功耗、更低的熱效應和更為精巧的終端產品規格。該平臺提供的芯片尺寸比28nm工藝小20%，掩膜少10%，而且其浸沒式光刻層比foundryFinFET工藝少近50%，為聯網設備在性能、功耗和成本方面實現了佳組合點。
　　
　　格羅方德半導體自完成對IBM微電子業務的收購，是其獲得了一系列差異化技術，可用于增強其公司在軍用、物聯網（IoT）、大數據和高性能計算等主要增長型市場中的產品組合，不僅鞏固了在邁向10nm、7nm以及更先進的工藝之路上的地位，在全新的半導體工藝上，也推出了新一代聯網設備的超低功耗要求的“22FDX”平臺，此平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個佳解決方案。
　　
　　雖然某些設備對三維FinFET晶體管的性能有要求，但大多數無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現更好的平衡。22FDX采用業內22nm二維全耗盡平面晶體管技術（FD-SOI）工藝，為成本敏感型應用提供了一條佳途徑。憑借業內低的0.4伏工作電壓，該平臺實現了超低動態功耗、更低的熱效應和更為精巧的終端產品規格。該平臺提供的芯片尺寸比28nm工藝小20%，掩膜少10%，而且其浸沒式光刻層比foundryFinFET工藝少近50%，為聯網設備在性能、功耗和成本方面實現了佳組合點。
　　
　　在RF領域，格羅方德半導體目前在無線前端模塊市場占據地位。IBM研發出世界的RF硅晶絕緣體（RFSOI）和高性能硅鍺（SiGe）技術，對格羅方德半導體現有的主流技術組合形成了高度互補。公司將繼續加大投入，推出其下一代RFSOI路線圖，并抓住汽車和家庭市場中的商機。
　　
　　格羅方德半導體執行官SanjayJha表示：“22FDX平臺能夠讓我們的客戶在性能、功耗和成本之間實現佳平衡的差異化產品。該平臺在業內提供針對晶體管特性的實時系統軟件控制功能：系統設計人員能夠動態平衡功耗、性能和漏電。此外，針對聯網應用中的射頻和模擬集成，該平臺可提供佳的擴展性和高的能效。”22FDX采用了格羅方德公司位于德國德累斯頓的先進的300mm生產線上的量產28nm平臺。
　　
　　該工藝建立在近20年對歐洲大的半導體晶圓廠的持續投資之上，掀開了“薩克森硅谷”發展*的一個新篇章。格羅方德半導體在德累斯頓為22FDX平臺投入了2.5億美元，用于技術研發和啟動22FDX的生產，從而將公司自2009年以來對Fab1的總投資增至超過50億美元。公司還將加大投資提高生產力以滿足客戶需求。格羅方德半導體正與多家歐洲的研發和行業機構開展合作，以便為22FDX建設一個強大的生態系統，縮短產品上市時間，并為其制定一個全面的路線圖。公司現提供設計入門套件和早期版本的工藝設計套件（PDK），并將于2016下半年啟動風險生產。
　　
　　芯片供應商力挺FD-SOI工藝
　　
　　STMicroelectronics運營官Jean-MarcChery表示：“格羅方德半導體的FDX平臺采用了一種先進的FD-SOI晶體管結構，該結構是雙方長期合作的結晶。FD-SOI確認并增強了這種工藝的強勁發展勢頭，拓展了生態系統，并確保了一個大批量供貨來源。FD-SOI可滿足物聯網設備和其它功耗敏感型設備保持永遠在線和實現低功耗的理想工藝。”Freescale公司MCU事業群應用處理器與先進技術副總裁RonMartino表示：“Freescale的新一代i.MX7系列應用處理器利用FD-SOI晶體管結構實現了各種業界、面向汽車、工業和消費應用的超低功耗、按需提供性能的解決方案。格羅方德半導體的22FDX平臺讓FD-SOI的量產能力突破了28nm，并一直在降低成本、提高性能和優化功耗。”
　　
　　ARM實體IP設計事業部總經理WillAbbey表示：“移動設備和物聯網設備互聯的世界，依賴于在性能、功耗和成本上得到優化的SoC。我們正與格羅方德半導體密切合作，提供用戶所需的IP生態系統，讓顧客從22FDX技術的獨特|價值中真正受益。”VeriSiliconHoldingsCo.Ltd.總裁兼執行官WayneDai表示：“VeriSilicon擁有設計采用FD-SOI工藝的物聯網SoC的經驗，并且展示了FD-SOI在打造超低功耗和低能耗應用方面的優勢。我們期待與格羅方德半導體圍繞其22FDX平臺開展合作，推出各種面向智能手機、智能家庭、智能汽車和中國市場的功耗、性能和成本優化設計。”ImaginationTechnologies營銷執行副總裁TonyKing-Smith表示：“可穿戴、物聯網、移動和消費等新一代聯網設備，需要在性能、功耗和成本之間實現佳平衡的半導體解決方案。格羅方德半導體全新的22FDX工藝，結合Imagination廣泛的先進IP組合——包括PowerVR多媒體方案、MIPSCPU和Ensigma通信解決方案等，將能有效協助彼此共同的客戶推出更多差異化的創新產品。”
　　
　　IBS，Inc.創始人兼執行官HandelJones表示：“FD-SOI工藝可為可穿戴、消費、多媒體、汽車和其它應用提供一個多節點、低成本的路線圖。格羅方德半導體的22FDX將好的低功耗FD-SOI工藝集成到一個低成本、需求有望強勁增長的平臺上。”CEA-Leti執行官MarieNo？lleSemeria表示：“FD-SOI可大幅提升性能，降低功耗，同時大程度減少對現有設計及制造方法的調整。通過合作，我們將能采用成熟、便捷的設計及制造技術，成功生產出格羅方德半導體實現技術互聯的22FDX平臺。”Soitec執行官PaulBoudre表示：“格羅方德半導體發布的這條新聞是打造新一代低功耗電子設備的一個重要里程碑。我們很高興成為格羅方德半導體的戰略合作伙伴。我們的超薄SOI襯底已為22FDX投入量產做好一切準備。”
　　
　　格羅方德半導體自完成對IBM微電子業務的收購，是其獲得了一系列差異化技術，可用于增強其公司在軍用、物聯網（IoT）、大數據和高性能計算等主要增長型市場中的產品組合，不僅鞏固了在邁向10nm、7nm以及更先進的工藝之路上的地位，在全新的半導體工藝上，也推出了新一代聯網設備的超低功耗要求的“22FDX”平臺，此平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個佳解決方案。
　　
　　雖然某些設備對三維FinFET晶體管的性能有要求，但大多數無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現更好的平衡。22FDX采用業內22nm二維全耗盡平面晶體管技術（FD-SOI）工藝，為成本敏感型應用提供了一條佳途徑。憑借業內低的0.4伏工作電壓，該平臺實現了超低動態功耗、更低的熱效應和更為精巧的終端產品規格。該平臺提供的芯片尺寸比28nm工藝小20%，掩膜少10%，而且其浸沒式光刻層比foundryFinFET工藝少近50%，為聯網設備在性能、功耗和成本方面實現了佳組合點。